Samsung создала модуль оперативной памяти DDR5 емкостью 512 ГБ

Компания Samsung объявила о создании первого в отрасли модуля оперативной памяти DDR5 емкостью 512 ГБ, в которых в качестве изоляторов используются диэлектрики high-k. Новый модуль DIMM предназначен для серверов следующего поколения, использующих память DDR5, в том числе на базе процессоров AMD Epyc «Genoa» и Intel Xeon Scalable «Sapphire Rapids».

Модуль оперативной памяти DIMM (RDIMM) DDR5 512 ГБ от Samsung использует 32 стека по 16 ГБ на основе восьми чипов DRAM объемом 16 ГБ. Стеки 8-Hi используют кремний через межкомпонентные соединения, чтобы обеспечить низкое энергопотребление и качественную передачу сигналов. Samsung пока не раскрывает максимальную скорость передачи данных, поддерживаемую памятью.



Samsung заявляет, что из-за пониженного напряжения DDR5, изоляционного слоя HKMG и других усовершенствований её модули DDR5 потребляют на 13% меньше энергии, чем предшественники, что будет особенно важно для RDIMM 512 ГБ, предназначенного для серверов.

При использовании с серверными процессорами с восемью каналами памяти и двумя модулями DIMM на канал новые модули памяти Samsung емкостью 512 ГБ позволяют оборудовать каждый процессор до 8 ТБ памяти DDR5, по сравнению с 4 ТБ на сегодня.



Samsung уже начала испытывать модули DDR5 с различными партнерами из серверного сообщества и ожидает, что ее модули DIMM следующего поколения будут проверены и сертифицированы серверами ещё до появления на рынке.