Samsung вскоре предложит SSD емкостью до 16 ТБ

В начале следующего года компания Samsung планирует продемонстрировать революционную память NAND, которая станет основой SSD следующего поколения емкостью до 16 ТБ.

Когда-то компьютерные энтузиасты воспринимали Samsung как короля рынка твердотельных накопителей. Корейцы не только всегда использовали исключительно фирменные решения (память, контроллер, прошивки), но и зачастую предлагали самые производительные и современные модели на рынке.

Однако в последние годы ситуация изменилась. И если конкуренты уже давно предлагают SSD с интерфейсом PCI Express 5.0 x4, то Samsung выпускает странные протезы вроде 990 EVO и 990 EVO Plus, сочетающие PCIe 4.0 x4 с PCIe 5.0 x2. Однако вскоре это может измениться.

В ходе конференции ISSCC 2025 (International Solid-State Circuits Conference), которая пройдет в феврале следующего года в США, компания Samsung хочет представить 10-е поколение чипов V-NAND. Они должны иметь более 400 слоев и использовать интерфейс с производительностью 5,6 ГТ/с.

Это по-прежнему будут чипы памяти 3D TLC NAND, их емкость составит 1 ТБ (128 ГБ) на матрицу. Корейцы утверждают, что им удалось увеличить плотность данных до 28 ГБ/мм 2. Это феноменальный результат, правда немного ниже, чем в случае с 3D QLC NAND, предлагающей 28,5 ГБ/мм 2.

Улучшенная память NAND будет выпускаться чипами емкостью до 2 ТБ. Это означает, что односторонние SSD в самом популярном формате M.2 2280 оснащенные четырьмя чипами будут предлагать емкость до 8 ТБ, а двусторонние — до 16 ТБ.

Предполагается, что серийное производство начнется в следующем году. Однако пока сложно сказать, когда на рынке появится V-NAND 10-го поколения. Более того, сперва мы вероятно увидим эту технологию сначала в серверных решениях, а уже потом и в потребительском сегменте.

Если обещания Samsung воплотятся в жизнь, у корейцев появится шанс вернуться на трон и предложить самые эффективные твердотельные накопители не только в стандарте PCI Express 5.0 x4, но и в PCIe 6.0.