Kingston готовит оперативную память DDR5 для разгона
Компания Kingston - последний производитель компьютерной оперативной памяти, который объявил о разработке новейших модулей DDR5 поддерживающих разгон.
Производитель оперативной памяти сообщил, что он начал разработку модулей оперативной памяти DDR5, готовых к разгону и уже разослал первые образцы своим партнерам (ASUS, MSI, Gigabyte, ASRock и другим). Модули памяти Kingston DDR5 разработаны в соответствии с профилями XMP, но также открыли партнерам по материнским платам возможность ручной настройки PMIC (интегральная схема управления питанием) сверх 1,1 В.
Разогнанные комплекты будут иметь гораздо более высокие скорости и более меньшие тайминги с помощью интегрированных микросхем DDR5 DRAM. В будущем также появятся более быстрая память, а другие производители сообщают о скоростях выше 10 000 МГц на этапе исследований. Kingston рассчитывает получить 32, 64 и до 128 ГБ емкости памяти в этом году со скоростями между 4800 МГц и 5600 МГц. TeamGroup ранее сообщала, что напряжение на памяти DDR5 может быть увеличено до 2,6 ватт с охлаждением LN2.
Оперативная память DDR5 увеличит быстродействие компьютера в два раза по сравнению с DDR4, это видно из ранее просочившихся тестов. Мы уже знаем, что DDR4 достигает скорости более 7 ГГц, поэтому 10 ГГц могут быть легко достигнуты, поскольку SK Hynix и Micron поставляют производителям более быстрые чипы DRAM.
Производитель оперативной памяти сообщил, что он начал разработку модулей оперативной памяти DDR5, готовых к разгону и уже разослал первые образцы своим партнерам (ASUS, MSI, Gigabyte, ASRock и другим). Модули памяти Kingston DDR5 разработаны в соответствии с профилями XMP, но также открыли партнерам по материнским платам возможность ручной настройки PMIC (интегральная схема управления питанием) сверх 1,1 В.
Разогнанные комплекты будут иметь гораздо более высокие скорости и более меньшие тайминги с помощью интегрированных микросхем DDR5 DRAM. В будущем также появятся более быстрая память, а другие производители сообщают о скоростях выше 10 000 МГц на этапе исследований. Kingston рассчитывает получить 32, 64 и до 128 ГБ емкости памяти в этом году со скоростями между 4800 МГц и 5600 МГц. TeamGroup ранее сообщала, что напряжение на памяти DDR5 может быть увеличено до 2,6 ватт с охлаждением LN2.
Оперативная память DDR5 увеличит быстродействие компьютера в два раза по сравнению с DDR4, это видно из ранее просочившихся тестов. Мы уже знаем, что DDR4 достигает скорости более 7 ГГц, поэтому 10 ГГц могут быть легко достигнуты, поскольку SK Hynix и Micron поставляют производителям более быстрые чипы DRAM.
Рекомендуемый контент
