SK Hynix разрабатывает многослойную память HBM3

Южнокорейская компания SK Hynix находится в авангарде разработки следующего поколения многослойной памяти с высокой пропускной способностью стандарта HBM3.

Следуя текущему стандарту HBM2e, многослойная память HBM3 будет использоваться в процессорах HPC и AI следующего поколения многокристальных модулях высокой плотности.

Отчет Tom's Hardware со ссылкой на информацию SK Hynix раскрывает две ключевые детали нового стандарта. Во-первых, он может предложить скорость передачи данных на каждый вывод 5,2 Гбит / с, что на 44% больше, чем 3,6 Гбит / с, которые ограничивают HBM2e.

В результате полоса пропускания на стек составляет 665 ГБ / с по сравнению с 460 ГБ / с для HBM2e. Таким образом, процессор с четырьмя такими стеками (по шине шириной 4096 бит) будет иметь пропускную способность памяти 2,66 ТБ / с. Вероятно, что стеки HBM3 от SK Hynix могут реализовать технологию гибридного соединения DBI Ultra 2.5D / 3D, лицензированную Xperi Corp.